Transistor de potência RF LDMOS substitui magnetrons

10th January 2018
Posted By : Enaie Azambuja
Transistor de potência RF LDMOS substitui magnetrons

A disponibilidade e capacidades de suporte de design integrais para um transistor de potência RF LDMOS da NXP foram anunciadas pela distribuidora Richardson RFPD. O MRF13750H/ MRF13750HS, disponível nos estilos em parafuso ou solda, é um transistor de onda contínua de 750W, projetado para aplicações industriais, científicas e médicas na gama de frequências de 700 a 1300MHz.

É capaz de CW ou potência de pulso em operações de banda estreita. O novo transistor é compatível internamente com a entrada, pode ser usado com saída única ou em uma configuração push-pull e é caractericado por 30 a 50V.

É apropriado para aplicações lineares com parcialidade apropriada e inclui proteção ESD integrada. O MRF13750H/HS oferece facilidade de uso aos designers de geradores de microondas, fornecendo precisão, controle e confiabilidade não disponíveis em tecnologias de tubo a vácuo, tais como magnetrons.

Suporta um controle de potência preciso sobre toda a gama dinâmica de 0 a 750W, permitindo uma mudança de frequência que auxilia a realização de usos precisos da energia RF. Aplicações ISM típicas para o MRF13750H/HS incluem aquecimento industrial de 915MHz e sistemas de solda e aceleradores de partículas de 1300 MHz.

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