Superjunction +FETs apresentam desempenho superior

Posted By : Enaie Azambuja
Superjunction +FETs apresentam desempenho superior

A D3 Semiconductor anuncia sua entrada no mercado de semicondutores de potência, com o lançamento da linha de MOSFETs de 650 V "Superjunction +FET”. Os MOSFETs +FET oferecem soluções de alta eficiência para inúmeras aplicações que usam comutação forçada, dentre elas os circuitos de correção do fator de potência (PFC) e inversores para telecomunicações, computação empresarial, no-breaks (UPS) e energia solar.

A nova linha de produtos +FET inclui mais de 50 componentes, com 13 diferentes valores de RDS(ON), variando de 32 mOhms a 1000 mOhms. Entre os tipos de encapsulamento estão: dispositivos tradicionais thru-hole (TO-220/TO-220FP), de montagem de superfície (DPAK/D2PAK) e de tecnologia de montagem de superfície avançada (5 x 6/8 x 8). Para todos os tamanhos e valores, os dispositivos +FET da D3 Semiconductor apresentam um Qg RDS(ON) (FOM) entre as mais altas disponíveis.

A alta eficiência dos novos MOSFETs +FET, obtida pela diminuição das perdas de chaveamento e de condução, ajuda a simplificar o gerenciamento térmico. A característica de comutação suave dos componentes reduz o ruído de comutação, com menor uso de snubbers e diminuindo o tempo de projeto.

A maior capacidade de corrente por tipo de encapsulamento aumenta a densidade de potência da fonte chaveada e que, por sua vez, permite o uso do encapsulamento de tecnologia de montagem de superfície avançada em projetos de potência mais alta.

“Além do excelente desempenho e confiabilidade do +FET, o nosso roadmap está mudando o DNA dos componentes de potência, através da inclusão de funções de sinais híbridos em chaves de alta tensão”, disse Tom Harrington, Diretor de Tecnologia da D3 Semiconductor.

“A primeira linha de produtos de MOSFETs Superjunction +FET de alto desempenho oferece encapsulamentos totalmente compatíveis com os já disponíveis no mercado”, disse Marty Brown, consultor sênior da D3. Diz ainda:

“O potencial desses componentes coloca mais flexibilidade nas mãos do projetista ao permitir uma otimização da densidade de potência do circuito enquanto reduz o tempo de projeto. A ampla análise comparativa desses produtos já está provando seu desempenho competitivo e de alto nível”.

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