Matrizes de transistores oferecem 40% de economia de energia

Posted By : Enaie Azambuja
Matrizes de transistores oferecem 40% de economia de energia

Onze produtos foram adicionados à linha de matrizes de transistores de nova geração da Toshiba Electronics Europe, equipadas com saídas DMOS FET, capazes de fornecer drive de corrente ampla e alta tensão de até 50V/0.5A. Os novos dispositivos ampliaram os 37 produtos que já faziam parte da série TBD62xxxA, encontrando aplicação ampla em áreas que incluem motores, relés, LEDs e alavancas de nível para controle de linhas de comunicação.

Os 18 novos dispositivos suprem as demandas dos consumidores para uma ampla variedade de métodos de entrada e saída, além de funções. Os produtos atuais são basicamente do tipo Alto-ativo (A-ativo), onde a saída é ligada quando a entrada é alta.

A Toshiba adicionou agora produtos do tipo Baixo-ativo (B-ativo), onde a saída é ligada se a entrada é baixa. Devido à sua configuração de drenagem aberta, os produtos Baixo-ativo são apropriados para alavancas de nível para o controle de linhas de comunicação em equipamentos industriais e aparelhos domésticos.

A Toshiba também adicionou a série TBD62381A, que reduz o consumo de energia ao modificar as características da série TBD62083A. As matrizes de transistores da próxima geração na série TBD62XXX reduzem a energia em aproximadamente 40% quando comparada à série TD62XXX.

Os novos dispositivos oferecem dois tipos de saída: uma saída de fonte para a interrupção de fontes de potência e uma saída sink utilizada para o controle ON / OFF. O controle dinâmico das matrizes de LED podem ser atingidas ao combinar os tipos de saída de fonte e sink.

A nova linha inclui pacotes DIP, que são populares em equipamentos industriais; pacotes SOL que suportam montagem de superfície; e pequenos pacotes SSOP (com pico de pino de 0.65mm) que fornecem economia de espaço em produtos de configuração.

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