Controlador de MOSFET apresenta proporção de 200V

Posted By : Enaie Azambuja
Controlador de MOSFET apresenta proporção de 200V

O controlador de MOSFET ZXGD3111N7 de OR ativo, apropriado para sistemas de potência que utilizam redundância a fim de atingir alta confiabilidade em aplicações tais como telecomunicações, centros de dados e servidores, foi revelado pela Diodes Incorporated. O ZXGD3111N7 aprimora o desempenho com uma tensão máxima de drenagem de 200V, compatível com os requisitos em sistemas de trilho comum de 48V, em que as saídas de duas ou mais fontes de potência estão juntas por OR para maior redundância.

Além da proporção de 200V, que é duas vezes maior do que a dos competidores, o ZXGD3111N7 possui uma tensão limítrofe desligada baixa com uma tolerância estreita de -5 a -1mV. Isso aprimora a estabilidade sob condições de carga leves quando utiliza MOSFETs de RDSON baixo, fazendo com que o controlador seja uma solução líder que pode fornecer a mais alta eficácia e confiabilidade sobre toda a proporção da carga.

O ZXGD3111N7 é projetado para funcionar com um FET para criar um diodo ideal que substitui os diodos bloqueadores tipicamente usados em designs de trilhos comuns. Uma capacidade de corrente dissipatória de 5A permite uma descarga rápida das entradas nos MOSFETs com OR paralelos e a sua especificação de desligamento rápida (menor do que 600ns) evita fluxo de corrente reversa e qualquer queda de tensão no trilho comum. O dispositivo possui um consumo de potência líder em modo standby menor que 50mW com uma fonte de corrente quiescente menor que 1mA.

O ZXGD3111N7, apresentado em um pacote SO-7, custa $1.10 cada para 2.500 unidades.

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