Dispositivos UFS utilizam memória flash 3D de 64 camadas

Posted By : Enaie Azambuja
Dispositivos UFS utilizam memória flash 3D de 64 camadas

A Toshiba iniciou a amostragem dos dispositivos de Armazenamento Flash Universal [Universal Flash Storage (UFS)], utilizando a memória BiCS FLASH 3D de 64 camadas. Os dispositivos UFS suprem as demandas de desempenho para aplicações que requerem desempenho de alta velocidade de escrita e leitura e baixo consumo de potência, incluindo dispositivos móveis, tais como smartphones e tablets, bem como sistemas de realidade virtual (VR) e realidade aumentada (AR).

A nova linha estará disponível em quatro capacidades: 32, 64, 128 e 256GB. Todos os dispositivos integram memória flash integrada e um controlador em um único pacote JEDEC padrão de 11.5x13mm.

O controlador desempenha correção de erros, nivelamento de desgaste, tradução de endereço físico-para-lógico e gerenciamento de bloqueio incorreto, permitindo aos usuários que simplifiquem o desenvolvimento de sistemas.

Todos os quatro dispositivos são compatíveis com JEDEC UFS Ver2.1, incluindo HS-GEAR3, que possui uma velocidade de interface teórica de até 5.8Gbps por faixa (x2 faixas = 11.6Gbps), enquanto também pode suprimir quaisquer aumentos no consumo da potência.

O desempenho de leitura e escrita sequenciais do dispositivo de 64GB é de 900 e 180MB/s, enquanto o desempenho de leitura e escrita aleatório é em torno de 200% e 185%, respectivamente. Tais percentagens são melhores do que os dispositivos das gerações anteriores.

Devido à sua interface serial, a UFS suporta duplexing integral, que permite ambas leitura e escrita simultâneas entre o processador host e o dispositivo UFS.

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