Memória

A Swissbit está lançando na electronica 2014, em Munique, sua primeira memória SODIMM DDR4. Usando DDR de quarta geração, a placa pode atingir maiores taxas de dados do que a DDR3 enquanto consome a mesma quantidade de energia. Apresentando terminação de barramento de dados otimizada, inversão dinâmica de barramento e proteção CRC dos barramentos de comendo/endereçamento, a SAODIMM foi desenhada para as placas de próxima geração.

A memória DDR4 está substituindo a DDR3 e sendo incluída em placas-mãe de mais e mais produtos comerciais incluindo computadores pessoais, servidores, smartphones e tablets. Para adaptar-se à tendência de mercado a Apacer lançou a memória DIMM não buferizada DDR4 2133 4GB/8GB.

Uma nova série de overclocks DRAM com uma velocidade de 3,1 GHz e uma latgura de banda de 24,8 GBps foi apresentada pela ADATA. A série KPG V3 é baseada na quarta e quinta gerações dos processadores Intel Core e na mais recente plataforma Z97. O overclocking DRAM, que suporta o Extreme Memory Profile versão 3.1 utiliza tecnologia de condutividade térmica que reduz a temperatura do sistema.

A Swissbit batizou seu novo cartão CompactFlash como C-300 Longevity por uma boa razão: a disponibilidade de longo prazo do produto vai levá-lo a pelo menos 2021.

A Microchip anuncia o novo dispositivo de memória Flash paralela SST38VF6401B.  O chip é um dispositivo CMOS 4M x16 de arquitetura Advanced Multi-Purpose Flash Plus (Advanced MPF+)

A Toshiba está lançando no mercado os cartões de memória microSD mais rápidos do mundo compatíveis com interface de barramento UHS-II de ultra alta velocidade, conforme definição da SD Memory Card Standard Ver. 4.20. Os novos cartões estarão disponíveis nas versões de 32 e 64 GB.

A Microchip anunciou uma nova EEPROM de 4Kb com Detecção de Presença Série (SPD) via I2C™, a 34AA04.  Este dispositivo foi especificamente desenhado para trabalhar com a nova geração de módulos SDRAM Double Data Rate 4 (DDR4) usados em PCs e portáteis de alto desempenho, ao mesmo tempo suportando as plataformas DDR2/3 anteriores. 

Memórias FRAM, que utilizam tecnologia ferroeletrônica para reter os dados armazenados, são uma opção interessante quando se precisa de um maior número de ciclos de leitura/escrita comparadas com as Flash, e menor consumo que as EEPROM.

A Toshiba Corporation anunciou para o fim de novembro o lançamento de seus novos módulos de memórias flash NAND, integralmente compatíveis com o último padrão e•MMCTM, e destinadas a uma ampla gama de produtos de consumo digitais, incluindo smartphones, tablets e câmaras.

Apacer – o principal fabricante de memória do mundo - trará novamente as técnicas de aceleração do relógio interno do computador (overclock) para um novo nível! Apacer apresenta a série líder ARES DDR3-3000 com quebra de recorde na velocidade do relógio de DDR3 3226MHz na Computex,Taipei de 2013. Esta série também oferece 2800MHz, 2933MHz, e outras especificações com chips de memória garantidos de alta sofisticação que foram rigorosamente testados. Dois pacotes (Jogo de 8GB (4GBx2] e Jogo de 16GB (8GBx2]) estão disponíveis para lhe trazer uma experiência extrema de velocidade relâmpago ao jogadores que executam aceleração do relógio interno do computador.