MOSFETs de 12 e 20V são oferecidos em pacotes assimétricos

23rd June 2016
Source: Vishay
Posted By : Enaie Azambuja
MOSFETs de 12 e 20V são oferecidos em pacotes assimétricos

A Vishay Intertechnology anunciou o que considera ser o primeiro MOSFET da indústria qualificado para AEC-Q101, de 12 e 20V, em um pacote de potência assimétrico dual. A fim de economizar espaço e potência em conversores buck síncronos de alta eficácia para aplicações automotivas, os dispositivos SQJ202EP e SQJ200EP TrenchFET de Canal N da Vishay combinam um MOSFET de lado alto e baixo em um pacote assimétrico dual PowerPAK SO-8L compacto de 5x6mm.

Ao reunir dois MOSFETs em um pacote assimétrico - com um MOSFET de lado baixo mais largo para um MOSFET de menor resistência e menor lado mais alto para interrupção mais rápida - o SQJ202EP de 12V e o SQJ200EP de 20V fornecem alternativas de alto desempenho para dispositivos duais padrões, que restringem a combinação ótima dos MOSFETs para designs buck síncronos de alta corrente e alta frequência. Quando comparado ao uso de componentes discretos, os dispositivos ocupam menos espaço de placa e podem facilitar a criação de layouts PCB mais compactos.

Os dispositivos oferecem operações em alta temperatura de até +175°C, a fim de fornecer a confiabilidade necessária por parte das aplicações automotivas, tais como infotainment, telemática, navegação e iluminação de LED. O SQJ202EP de 12V é apropriado para aplicações com tensões de bus menores do que, ou iguais a, 8V e oferecem uma resistência máxima extremamente baixa de até 3.3mΩ para o MOSFET de lado baixo de Canal 2.

Para aplicações com maiores tensões bus, o SQJ200EP de 20V apresenta uma resistência máxima um pouco mais alta de 3.7mΩ. Ambas as partes são 100% testadas para resistência de entrada e avalanche. Eles também são compatíveis com RoHS e livres de halogênio.

Amostras e quantidades de produção do SQJ200EP e do SQJ202EP já estão disponíveis, com tempos de espera de 12 semanas para encomendas grandes.

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